|
|
|
|
CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS LEDs
La siguiente tabla de características de los LEDs comerciales, muestra las diferentes composiciones
de los chips
utilizados en su fabricación; nombre químico del compuesto
que emplean; color de emisión de luz propia de
cada una de las composiciones químicas; tensiones o voltajes de
polarización aproximado de cada tipo de LED; frecuencia en hertz (Hz) del espectro
electromagnético correspondiente a la luz infrarroja (IR), a los colores de la luz visible
y a los rayos ultravioleta, así como la longitud de onda " "
también del espectro electromagnético correspondiente a cada color emitido, medida en nanómetros
(nm).
|
|
|
TABLA DE CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LOS LEDs
|
Composición
del chip |
Nombre del
compuesto |
Color de la luz
emitida |
Tensión de
trabajo en volt (V) |
Frecuencia en
hertz (Hz) |
Longitud de onda
en nm |
| GaAs |
Arseniuro de galio |
|
<
1,9 |
<
4,0 x 1014 |
>
760 |
| GaAlAs |
Arseniuro de galio y
aluminio |
| GaP |
Fosfuro de galio |
± 1,8 |
4,8
- 4,0
x 1014 |
610
- 760 |
| GaAlAs |
Arseniuro de galio y
aluminio |
| AlInGaP |
Fosfuro de aluminio indio
y
galio |
| GaAsP/GaP |
Fosfuro de galio y arsénico /
Fosfuro de galio |
| AlInGaP |
Fosfuro de aluminio indio
y
galio |
± 2,0 |
5,1
- 4,8
x 1014 |
590
- 610 |
| GaAsP/GaP |
Fosfuro de galio y arsénico /
Fosfuro de galio |
| AlInGaP |
Fosfuro de aluminio indio
y
galio |
5,3
- 5,1
x 1014 |
570 -
590 |
| GaP |
Fosfuro de galio |
±
3,0 |
500
- 570 |
| InGaN |
Nitruro de indio y galio |
5,8
- 5,3
x 1014 |
| GaN |
Nitruro de galio |
| InGaN / Zafiro |
Nitruro de indio y galio /
Zafiro |
| SiC |
Carburo de silicio |
±
3,3 |
6,7
- 6,0
x 1014 |
450
- 500 |
| InGaN / Zafiro |
Nitruro de indio y galio /
Zafiro |
| GaN |
Nitruro de galio |
| InGaN / Zafiro |
Nitruro de indio y galio /
Zafiro |
| InGaN |
Nitruro de indio y galio |
± 3,4 |
7,9 -
6,7
x 1014 |
| GaN |
Nitruro de galio |
± 3,7 |
>7,9
x 1014 |
<
400 |
| Ce:YAG |
Granate-aluminio-itrio,
dopado de cerio |
± 3,4 |
Espectro
completo |
Espectro
completo |
|
|
